M. Sriubo daktaro disertacijos “Samariu legiruoto cerio oksido plonųjų sluoksnių formavimas ir tyrimas” gynimas

Autorius, institucija: Mantas Sriubas, Kauno technologijos universitetas

Mokslo sritis, kryptis: technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T

Mokslinis vadovas – prof. dr. Giedrius Laukaitis (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T).

Medžiagų inžinerijos mokslo krypties disertacijos gynimo taryba:
prof. habil. dr. Arvaidas Galdikas (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T) – pirmininkas,
prof. dr. Diana Adlienė (Kauno technologijos universitetas, fiziniai mokslai, fizika – 02P),
prof. habil. dr. Maria Gazda (Gdansko technologijos universitetas, Lenkija, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T),
dr. Viktoras Grigaliūnas (Kauno technologijos universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T),
doc. dr. Tomas Šalkus (Vilniaus universitetas, technologijos mokslai, medžiagų inžinerija – 08T),   

Su disertacija galima susipažinti  Kauno technologijos universiteto bibliotekoje (K. Donelaičio g. 20, Kaunas).

Anotacija:
Joniniai laidininkai yra pagrindiniai komponentai O₂, CO_x, NO_x dujų jutikliuose bei kietakūnio oksido kuro elementuose. Vienu iš perspektyviausių joninių laidininkų vidutinėse temperatūrose (600 °C) yra laikomas Sm_xCe_1–xO_2–δ (SDC). SDC elektrinės ir optinės savybės priklauso nuo Sm priemaišų koncentracijos, darbinės temperatūros, deguonies slėgio, deguonies jonų migracijos krypties ir mikrostruktūros. Mikrostruktūrinės savybės priklauso nuo pasirinkto formavimo metodo bei formavimo parametrų. Todėl, disertacijos tikslas buvo nustatyti garinamų miltelių savitojo paviršiaus ploto, augimo greičio, padėklo temperatūros ir padėklo rūšies įtaką plonųjų Sm_0,2Ce_0,8O_2–δ sluoksnių, suformuotų vakuuminio garinimo panaudojant elektronų pluoštelį metodu, savybėms. Buvo suformuoti plonieji SDC sluoksniai, garinant skirtingo paviršiaus ploto – 6,2 m²/g, 11,3 m²/g, 38,8 m²/g, 201,3 m²/g – miltelius ant 50 °C – 600 °C temperatūros SiO₂, Alloy600, Si(100), Al₂O₃ padėklų, palaikant 0,2 nm/s – 1,6 nm/s augimo greičius. Atlikus išsamius šių sluoksnių tyrimus, taikant rentgeno struktūrinės analizės, skenuojamosios elektroninės mikroskopijos, atominių jėgų mikroskopijos, rentgeno spindulių energijų dispersijos spektrometrijos, elektrocheminio impedanso spektrometrijos, optinės spektrometrijos metodus buvo išanalizuotos ir aptartos priežastys bei procesai, lemiantys mikrostruktūros, paviršiaus morfologijos, elektrinių ir optinių savybių kitimą priklausomai nuo technologinių formavimo parametrų.